作為智慧型手機的 CMOS 感光元件大廠，Sony 在這個領域中以積極突破創新的方式在證明自己的實力。並在近期發表了一款加入 DRAM 的三層堆疊結構感光元件，讓所有錄影數據能記錄在 DRAM 中，更創造出 1,000fps 的高速錄影能力。
Sony 新發表的 CMOS 尺寸為 1/2.3 吋，解析度是 5,520 x 3,840，有效畫素則是 21.2MP，而且只需 1/120 秒的時間，就可輸出 19.3MP 的靜態影像，以現有 CMOS 感光元件的 4 倍速度，來減少高速快門所產生的果凍感。不同於傳統雙層式結構 CMOS 的是，Sony 在這個新的 CMOS 中加入了第三層堆疊結構 DRAM，讓鏡頭錄影時的所有數據都能獨立且快速的記錄在 DRAM 上，使 Sony 這顆新的 CMOS 擁有 FUD/1,000fps 的超高速錄影能力，遠遠超越目前智慧型手機中，擁有 FHD/240fps 的 Google Pixel，成為智慧型手機中速度最快的 CMOS 感光元件，也讓使用者可以錄製更細緻、流暢的慢動作影片。
雖然 Sony 發表了具有 FHD/1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件，但未來何時會正式應用、會應用在哪一款手機上，甚至是販售給哪個品牌手機做使用都還無法確認。不過，從 Sony 發表的這個 CMOS 感光元件可以看出，在積極追求拍照畫質的情況下，錄影品質可能會是下個各品牌都會努力強化的方向之一，喜歡高速攝影的朋友可以開始期待囉。
